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第2章是信號完整性的概述，主要分析了影響信號完整性的主要因素，并大致介紹了串?dāng)_噪聲(cross-talk)，電遷移（Electromigration)，電壓下降（IR Drop），天線效應(yīng)（Antenna Effect）和接地反彈與襯底耦合（Ground bounce Underlay coupling）的情況，而且還簡要介紹了解決這些影響因素的方法。

　　第3章主要研究了串?dāng)_，連線延遲和串?dāng)_是影響深亞微米版圖設(shè)計的兩個很重要的因素，兩者都是從時序上影響設(shè)計。本章分析了串?dāng)_的起因，串?dāng)_可以由三種耦合機制引起，即電容、電感和輻射。從本質(zhì)上說，輻射耦合是一種自感EMI擾亂，并可以把它視作在EMI設(shè)計框架里面。而且本章還詳細(xì)介紹了電容串?dāng)_和電感串?dāng)_及其解決方法。

　　第4章主要研究了電遷移，在電路規(guī)模不斷擴大，器件尺寸進一步減小時，互連線中電流密度在上升，鋁條中的電遷移現(xiàn)在更為嚴(yán)重，成為VLSI中的一個主要可靠性問題。本章首先介紹了電遷移的原理及其影響因素，然后介紹了它的失效模式，最后分析了電遷移的解決措施。

　　第5章主要研究了電壓降，IR Drop是由電線電阻和電源與地之間的電流所產(chǎn)生的。如果電線的電阻值過高或者單元的電流比預(yù)想的要大，一種難以接受的電壓下降就會出現(xiàn)。簡單的增加電線的線寬，降低電阻，并且由此電壓降低，但是同時它也會減少布線的面積，并且在大多數(shù)條件下不會被接受。確立設(shè)計之后，從事于IR Drop問題，當(dāng)今所普遍應(yīng)用的技術(shù)并不是對這些問題行之有效的方法。為了使設(shè)計中電流下降的位置更加完善，并且可以自動地通過更寬地金屬層為IR Drop的最低估計值提供路徑，其所需要的是科學(xué)的設(shè)計和可用來實施的工具。本章進行了模擬仿真實驗，證實了本章的論述。