無(wú)錫不封號(hào)電銷(xiāo)卡購(gòu)買(mǎi)

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全新的西部數(shù)據(jù)無(wú)錫不封號(hào)電銷(xiāo)卡iNAND MC EU551嵌入式閃存器采用了標(biāo)準(zhǔn)的UFS 3.1接口和11.5X13mm的封裝，無(wú)錫不封號(hào)電銷(xiāo)卡可以滿(mǎn)足目前絕大部分手機(jī)客戶(hù)對(duì)于產(chǎn)品兼容性的要求，同時(shí)這款存儲(chǔ)器采用了西部數(shù)據(jù)領(lǐng)先的高密度第六代BiCS 3D NAND顆粒，無(wú)錫不封號(hào)電銷(xiāo)卡相對(duì)于上代產(chǎn)品，第六代BiCS 3D NAND每片晶圓的存儲(chǔ)位增加約70%，橫向密度提升約10%，并且單位芯片的尺寸縮減40%，讓西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器在容量方面領(lǐng)先行業(yè)。

不僅如此，在性能方面，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器擁有140K iops的隨機(jī)讀性能，相對(duì)于上代的65K iops，無(wú)錫不封號(hào)電銷(xiāo)卡性能提升超過(guò)115%，有了超過(guò)一倍的性能提升，反應(yīng)在實(shí)體體驗(yàn)方面，能夠讓我們?cè)谌粘＿M(jìn)行快速讀寫(xiě)的時(shí)候，尤其是多任務(wù)并行狀態(tài)下，無(wú)錫不封號(hào)電銷(xiāo)卡讓我們的手機(jī)等設(shè)備能夠擁有更快速的響應(yīng)，帶來(lái)更好的實(shí)際體驗(yàn)，這樣的性能表現(xiàn)基本都能滿(mǎn)足未來(lái)3年的移動(dòng)設(shè)備對(duì)于存儲(chǔ)硬件的需求。